低PIM製品
取り扱い製品
Nコネクタの同軸固定減衰器・同軸終端器・変換アダプタを取り扱っています。
低PIM同軸固定減衰器
| 製品名 | 耐電力 | コネクタ | 対応周波数 | 仕様書 |
| SA-61E-LIM | 5W | N-PJ | D.C. to 6GHz | SA-61E-LIM.pdf |
| SA-62E-LIM | 5W | N-PP | SA-62E-LIM.pdf | |
| SA-63E-LIM | 5W | N-JJ | SA-63E-LIM.pdf | |
| SA-121E-LIM | 10W | N-PJ | SA-121E-LIM.pdf | |
| SA-122E-LIM | 10W | N-PP | SA-122E-LIM.pdf | |
| SA-123E-LIM | 10W | N-JJ | SA-123E-LIM.pdf | |
| SA-221E-LIM | 20W | N-PJ | SA-221E-LIM.pdf | |
| SA-222E-LIM | 20W | N-PP | SA-222E-LIM.pdf | |
| SA-223E-LIM | 20W | N-JJ | SA-223E-LIM.pdf | |
| SA-321E-LIM | 30W | N-PJ | SA-321E-LIM.pdf | |
| SA-322E-LIM | 30W | N-PP | SA-322E-LIM.pdf | |
| SA-323E-LIM | 30W | N-JJ | SA-323E-LIM.pdf |
- 減衰量は1dB刻みで指定できます
- 中心導体は銀メッキです
- 防水用が必要な場合、対応は可能です
| 製品名 | 耐電力 | コネクタ | 対応周波数 | 仕様書 |
| TST-50NPJ-LIM | 50W | N-PJ | D.C. to 4GHz | TST-50NPJ-LIM.pdf |
| TST-50NPP-LIM | 50W | N-PP | TST-50NPP-LIM.pdf | |
| TST-50NJJ-LIM | 50W | N-JJ | TST-50NJJ-LIM.pdf |
- 減衰量は1dB刻みで指定できます
- 中心導体は銀メッキです
- TSTシリーズの防水対応はできません
低PIM同軸終端器
| 製品名 | 耐電力 | コネクタ | 対応周波数 | 仕様書 |
| SD-61-LIM | 5W | N-P | D.C. to 6GHz | SD-61-LIM.pdf |
| SD-62-LIM | 5W | N-J | SD-62-LIM.pdf | |
| SD-121-LIM | 10W | N-P | SD-121-LIM.pdf | |
| SD-122-LIM | 10W | N-J | SD-122-LIM.pdf | |
| SD-221-LIM | 20W | N-P | SD-221-LIM.pdf | |
| SD-222-LIM | 20W | N-J | SD-222-LIM.pdf | |
| SD-321-LIM | 30W | N-P | SD-321-LIM.pdf | |
| SD-322-LIM | 30W | N-J | SD-322-LIM.pdf |
- 中心導体は三元メッキです。
- 防水用が必要な場合、対応可能です。
| 製品名 | 耐電力 | コネクタ | 対応周波数 | 仕様書 |
| R-50NP-LIM | 50W | N-P | D.C to 4GHz | R-50NP-LIM |
| R-50NJ-LIM | 50W | N-J | R-50NJ-LIM |
- 中心導体は銀メッキです。
- Rシリーズの防水対応はできません。
低PIM変換アダプタ
| 製品名 | コネクタ | 対応周波数 | 仕様書 |
|---|---|---|---|
| NA-JJ-LIM | N-JJ | D.C. to 6GHz | NA-JJ-LIM.pdf |
| NA-PJ-LIM | N-PJ | NA-PJ-LIM.pdf | |
| NA-PP-LIM | N-PP | NA-PP-LIM.pdf |
コネクタ同士の接続やコネクタの変換に使用する低PIMの変換アダプタです。
IM（相互変調ひずみ）とPIM（受動相互変調ひずみ）
半導体素子や増幅器などの能動素子を使用した装置に周波数が近い信号を複数入力した時，新しい周波数成分のひずみ信号が発生します。（信号が出力される場合も起こります。）
このひずみ信号は相互変調ひずみ（IM：Intermodulation）と呼ばれ，能動素子の非線形性の問題から生じ、広範囲の周波数帯で問題になります。
ひずみ信号は能動素子で構成した装置だけでなく、受動素子（抵抗やコイル，コンデンサなど）で構成される回路や部品でも発生します。多くは金属の接点における電位差や非線形集中定数などによって発生し，受動相互変調ひずみ(PIM：Passive Intermodulation) と呼ばれます。
PIM対するアプローチも昨今では重要となっています。
